H桥电路驱动芯片的工作原理是通过控制四个晶体管的导通与截止来实现电机的正转✿★ღ、反转和停止✿★ღ。H桥电路由四个晶体管（通常为MOSFET）组成✿★ღ，形成“H”型结构pp电子设备✿★ღ。当Q1和Q

　　工采网代理的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案✿★ღ。SS8812T有两路H桥驱动活色巅峰程晓蕊小说✿★ღ，每个H桥可提供较大输出电流1.6A (在24V和Ta=25C适当散热条件下)活色巅峰程晓蕊小说活色巅峰程晓蕊小说✿★ღ，可驱动两个刷式直流电机pp电子设备✿★ღ，或者一个双极步进电机✿★ღ，或者螺线管或者其它感性负载

　　小型封装内置第4代SiC MOSFET✿★ღ，实现业界超高功率密度✿★ღ，助力xEV逆变器实现小型化✿★ღ！

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器✿★ღ，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”✿★ღ，共4款产品（750V 2个型号✿★ღ：BSTxxxD08P4A1x4✿★ღ，1

　　ROHM推出全新Power Stage IC✿★ღ：可替代Si MOSFET✿★ღ，器件体积减少99％

　　近年来pp电子游戏官方平台✿★ღ！✿★ღ，为了实现可持续发展的社会✿★ღ，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求✿★ღ。针对这种需求活色巅峰程晓蕊小说✿★ღ，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望✿★ღ。在此背景下✿★ღ，全球知名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作者✿★ღ：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来pp电子登录✿★ღ，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统✿★ღ、更大的电池容量和更短的充电时间✿★ღ。为满足客户需求和延长行驶里程✿★ღ，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET）✿★ღ，管脚尺寸缩小60％

　　RDS（on）额外降低40％✿★ღ，功率密度提高58倍✿★ღ，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨✿★ღ，2023年3月22日✿★ღ：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装活色巅峰程晓蕊小说✿★ღ、双面散热PP电子APP下载✿★ღ，✿★ღ、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日✿★ღ，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进✿★ღ，以实现最高水平的性能和功率密度✿★ღ。为顺应这一发展趋势✿★ღ，英飞凌科技有限公司（FSE代码✿★ღ：IFX ／ OTCQX代码✿★ღ：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET）✿★ღ，SOA性能翻倍

　　全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨✿★ღ，2022年11月18日✿★ღ：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合pp电子设备pp电子设备✿★ღ，推出10款全面优化的25V和30V器件

　　适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET （ASFET）将SOA增加了166％✿★ღ，并将PCB占用空间减小80％

　　（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值✿★ღ，并改善均流✿★ღ，从而提供最佳性能✿★ღ、高可靠性并降低系统成本奈梅亨pp电子设备pp电子游戏试玩✿★ღ！✿★ღ，2021年8月4日✿★ღ：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款

　　Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动✿★ღ，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V／100 V MOSFET

　　新生产线提高了产能pp电子设备✿★ღ，力求满足及时供应奈梅亨活色巅峰程晓蕊小说活色巅峰程晓蕊小说✿★ღ，2021年6月24日✿★ღ：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布✿★ღ，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动pp电子设备✿★ღ，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr pp电子设备✿★ღ，80 V和100 V MOSFET

　　Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

　　领先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性奈梅亨✿★ღ，2021年5月27日✿★ღ：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET✿★ღ，该器件采用高可